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IRFR5410 mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK/微硕 型号:IRFR5410 封装:TO-252 批号:2018+ FET类型:P-Ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:-100V 漏极电流(Id):-13A 漏源导通电阻(RDS On):150m? 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):21 反向恢复时间:/ 耗散功率:50 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 ℃ 安装类型:绝缘栅(MOSFET)

WSD3070DN mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK 型号:WSD3070DN 封装:DFN3X3 批号:2018 FET类型:绝缘栅(MOSFET) 漏源电压（Vdss）:25V 漏极电流(Id):70A 漏源导通电阻(RDS On):3.4mΩ(max.) 栅源电压(Vgs):12V 栅极电荷(Qg):47 反向恢复时间:1.1 耗散功率:62.5 配置类型:增强型 工作温度范围:-55°C-150°C 安装类型:贴片 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

STD65NF06 MOS管 微硕场效应管小功率

品牌:WINSOK 型号:STP65NF06 封装:TO-252 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:60V 漏极电流(Id):60A 漏源导通电阻(RDS On):10mΩ 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):9 反向恢复时间:3 耗散功率:20 配置类型:增强型 工作温度范围:-50 to 150 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

A06810 场效应管 微硕MOS管低压

品牌:WINSOK 型号:A06810 封装:SOP-8 批号:2018 FET类型:Dual N-Ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:60V 漏极电流(Id):6.5A 漏源导通电阻(RDS On):33mΩ 栅源电压(Vgs):±20V 栅极电荷(Qg):14 反向恢复时间:2.5 耗散功率:2.5 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 安装类型:绝缘栅（MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

FQD13N10 mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK 型号:FQD13N10 封装:TO-252 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:100V 漏极电流(Id):40A 漏源导通电阻(RDS On):32mΩ 栅源电压(Vgs):±20V 栅极电荷(Qg):60 反向恢复时间:4 耗散功率:52 配置类型:增强型 工作温度范围:-50 to 150 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

NVMFS5A160PLZ MOS管 微硕场效应管小功率

品牌:WINSOK微硕 型号:NVMFS5A160PLZ 封装:DFN5X6-8封装 批号:2019 FET类型:P沟道 漏源电压（Vdss）:-60 漏极电流(Id):-100 漏源导通电阻(RDS On):10.5 栅源电压(Vgs):20 栅极电荷(Qg):160 反向恢复时间:-2.6 耗散功率:200 配置类型:增强型 工作温度范围:-55℃-150℃ 安装类型:贴片 应用领域:家用电器,安防设备,3C数码

FQD13N10 MOS管 微硕场效应管小功率

品牌:WINSOK 型号:FQD13N10 封装:TO-220 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:100V 漏极电流(Id):60A 漏源导通电阻(RDS On):14mΩ 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):26.6 反向恢复时间:-4 耗散功率:300 配置类型:增强型 工作温度范围:-50 to 150 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

SiA906EDJ 场效应管 微硕MOS管低压

品牌:WINSOK 型号:SiA906EDJ 封装:DFN2X2-6封装 批号:2019 FET类型:双N沟道 漏源电压（Vdss）:20 漏极电流(Id):4.5 漏源导通电阻(RDS On):0.0056 栅源电压(Vgs):12 栅极电荷(Qg):3.5 反向恢复时间:0.6 耗散功率:7.8 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 安装类型:贴片

SiA430DJT mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK 型号:SiA430DJT 封装:DFN2X2-6封装 批号:2019 FET类型:单N沟道 漏源电压（Vdss）:20 漏极电流(Id):12 栅源电压(Vgs):20 栅极电荷(Qg):5.3 反向恢复时间:1 耗散功率:19.2 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 安装类型:贴片

SI2302 场效应管 微硕MOS管低压

品牌:WINSOK 型号:SI2302 封装:SOT-23 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:20V 漏极电流(Id):4.4A 漏源导通电阻(RDS On):50mΩ 栅源电压(Vgs):±12 栅极电荷(Qg):6.4 反向恢复时间:1.2 耗散功率:1 配置类型:增强型 工作温度范围:-50 to 150 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网I

SI2301 mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK微硕 型号:SI2301 封装:SOT-23 批号:2018+ FET类型:P-Ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:-20V 漏极电流(Id):-4.4A 漏源导通电阻(RDS On):50mΩ 栅源电压(Vgs):±12 栅极电荷(Qg):10.2 反向恢复时间:-1 耗散功率:1 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

STP100N8F6 MOS管 微硕场效应管小功率

品牌:WINSOK 型号:STP100N8F6 封装:TO-220 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:80V 漏极电流(Id):140A 漏源导通电阻(RDS On):4.8Ω 栅源电压(Vgs):±25 栅极电荷(Qg):115 反向恢复时间:4.8 耗散功率:250 配置类型:增强型 工作温度范围:-50 to 175 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

IRFR4620 场效应管 微硕MOS管低压

品牌:WINSOK 型号:IRFR4620 封装:TO-252 批号:2018+ FET类型:N-Ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:200V 漏极电流(Id):25A 漏源导通电阻(RDS On):60m? 栅源电压(Vgs):±20 V 栅极电荷(Qg):40 反向恢复时间:3.0 耗散功率:113 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 ℃ 安装类型:绝缘栅(MOSFET)

IRFR9N20D mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK 型号:IRFR9N20D 封装:TO-252 批号:2018+ FET类型:N-Ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:200V 漏极电流(Id):9A 漏源导通电阻(RDS On):0.21? 栅源电压(Vgs):±30 V 栅极电荷(Qg):11.8 反向恢复时间:1.8 耗散功率:83 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 150 ℃ 安装类型:绝缘栅(MOSFET)

IPD90N03S4L-03 MOS管 微硕场效应管小功率

品牌:WINSOK 型号:IPD90N03S4L-03 封装:TO-252 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:30V 漏极电流(Id):100A 漏源导通电阻(RDS On):2.5m? 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):56.9 反向恢复时间:2.5 耗散功率:89.3 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 175 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网I

IPD70N03S4L-04 场效应管 微硕MOS管低压

品牌:WINSOK 型号:IPD70N03S4L-04 封装:TO-252 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:30V 漏极电流(Id):85A 漏源导通电阻(RDS On):4.5m? 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):20 反向恢复时间:2.5 耗散功率:53 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 175 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网

BSC028N06LS3G MOS管 微硕场效应管小功率

品牌:WINSOK微硕 型号:BSC028N06LS3G 封装:DFN5X6-8封装 批号:2019 FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:60V 漏极电流(Id):100A 漏源导通电阻(RDS On):2.8 mOhm 栅源电压(Vgs):60V 栅极电荷(Qg):2.8 mOhm 反向恢复时间:100A 耗散功率:2.8 mOhm 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 175 安装类型:贴片 应用领域:家用电器,安防设备,3C数码

BSC031N06NS3G 场效应管 微硕MOS管低压

品牌:WINSOK微硕 型号:BSC031N06NS3G 封装:DFN5X6-8封装 批号:2019 FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:60V 漏极电流(Id):100A 漏源导通电阻(RDS On):3.1?mOhm 栅源电压(Vgs):60V 栅极电荷(Qg):3.1?mOhm 反向恢复时间:100A 耗散功率:3.1?mOhm 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 175 安装类型:贴片 应用领域:家用电器,安防设备,3C数码

BSC109N10NS3G mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK微硕 型号:BSC109N10NS3G 封装:DFN5X6-8封装 批号:2019 FET类型:N沟道 漏源电压（Vdss）:100V 漏极电流(Id):63A 漏源导通电阻(RDS On):10.9?mOhm 栅源电压(Vgs):100V 栅极电荷(Qg):10.9?mOhm 反向恢复时间:63A 耗散功率:10.9?mOhm 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 175 安装类型:贴片 应用领域:家用电器,安防设备,3C数码

IRFR3910 mosfet 微硕MOS管小电阻

品牌:WINSOK 型号:IRFR3910 封装:TO-252 批号:2018 FET类型:N-ch MOSFET 漏源电压（Vdss）:100V 漏极电流(Id):15A 漏源导通电阻(RDS On):80m? 栅源电压(Vgs):±20 栅极电荷(Qg):21 反向恢复时间:2.5 耗散功率:60 配置类型:增强型 工作温度范围:-55 to 170 安装类型:绝缘栅(MOSFET) 应用领域:3C数码,医疗电子,物联网