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会员类型：
会员年限：14年
张凯 
电话：0755-28892811
手机：13717085518
本公司营ADI亚德诺、ST意法半导体、TI德州仪器、IR国际整流器、Altera阿尔特拉、Xilinx赛灵思等品牌的IC芯片、二三极管、继电器、模块等电子元器件。
制造商：Infineon
产品种类：MOSFET
RoHS：详细信息
技术：Si
安装风格：SMD / SMT
封装/箱体：Micro-8
晶体管极性：N沟道
通道数量：2频道
Vds-漏源极击穿电压：20 V
Id-连续直流电流：5.4 A
Rds上漏源导通电阻：45毫欧
Vgs-克罗地亚-源极电压：12 V
Vgs th-栅源极阈值电压：1.2 V
Qg-血浆甲醛：18 nC
工作温度：-55°C
工作温度：+ 150 C
Pd-功率耗散：1.3 W
通道模式：增强
封装：剪切带
封装：MouseReel
封装：Reel
配置：双
高度：1.11毫米
长度：3 mm
晶体管类型：2 N沟道
宽度：3毫米
商标：Infineon / IR
正向跨导-对抗：13 S
下降时间：16 ns
产品类型：MOSFET
上升时间：11 ns
工厂包装数量：4000
子类别：MOSFET
典型关闭延迟时间：36 ns
典型起始延迟时间：8.5 ns
零件号别名：IRF7530TRPBF SP001572074
•风口技术
•超低导通电阻
•双N沟道MOSFET
•非常小的SOIC封装
•薄型（<1.1mm）
•提供卷带包装
•无铅
描述
国际整流器公司（International Rectifier）推出的新型沟槽HEXFET®功率MOSFET利用先进的处理技术，使每个硅面积的导通电阻极低。 这项优势与HEXFET功率MSFET众所周知的坚固耐用的器件设计相结合，为设计人员提供了一种非常有效且可靠的器件，可广泛用于各种应用中。
新的Micro8™封装的体积仅为标准SO-8的一半。 这使得Micro8成为印刷电路板空间非常宝贵的应用的理想设备。 Micro8的薄型（<1.1mm）将使其易于安装在超薄应用环境中，例如便携式电子设备和PCMCIA卡。
额定值
|
|
Parameter |
Max. |
Units |
|
VDS |
Drain- Source Voltage |
20 |
V |
|
ID @ TA = 25°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
5.4 |
A |
|
ID @ TA= 70°C |
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V |
4.3 |
|
|
IDM |
Pulsed Drain Current CD |
40 |
|
|
PD @TA = 25°C |
Power Dissipation |
1.3 |
w |
|
PD @TA = 70°C |
Power Dissipation |
0.80 |
|
|
|
Linear Derating Factor |
10 |
mW/°C |
|
EAS |
Single Pulse Avalanche Energy© |
33 |
mJ |
|
VGS |
Gate-to-Source Voltage |
± 12 |
V |
|
TJ, TSTG |
Junction and Storage Temperature Range |
-55 to + 150 |
°C |
询价
